Lenovo Memoria Ram Thinksystem De 64Gb (Ddr4, 2933Mhz, 1.2V, Rdimm 4ZC7A08710

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NÚMERO DE PARTE: 4ZC7A08710

Lenovo ThinkSystem 64GB

Características Claves

  • Tipo de memoria con búfer: Registered (buffered)
  • Memoria interna: 64 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 64 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 2933 MHz
  • Componente para: PC/servidor
  • Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
  • ECC: Si
  • Canales de memoria: Dual-channel
  • Clasificación de memoria: 4
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
Lenovo 4ZC7A08710.

Componente para: PC / servidor,
Memoria interna: 64 GB,
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 64 GB,
Tipo de memoria interna: DDR4,
Velocidad de reloj de memoria: 2933 MHz,
Factor de forma de memoria: DIMM de 288 pines,
ECC La memoria ThinkSystem TruDDR4 ofrece confiabilidad, calidad, rendimiento y confiabilidad comprobados en todo el portafolio de ThinkSystem. Utilizamos componentes de memoria estándar de la industria de la más alta calidad obtenidos de proveedores de DRAM de nivel 1.
Solo la memoria que cumple con estos estrictos requisitos se selecciona para la memoria TruDDR4. Luego se prueba la compatibilidad y se ajusta en cada servidor ThinkSystem para maximizar la confiabilidad. Además, los DIMM de memoria TruDDR4 tienen una firma única programada en ellos para que su sistema pueda verificar que la memoria TruDDR4 esté instalada en su sistema. Dado que la memoria se autenticará, los objetivos de ampliación de memoria se habilitan solo cuando se detectan los DIMM de memoria TruDDR4. Junto con un menor consumo de energía, estos nuevos DIMM pueden proporcionar el TCO más bajo para los centros de datos.
Especificaciones
Tipo de memoria en búfer : Registrado (almacenado en búfer)
Memoria interna : 64 GB
Tipo de memoria interna : DDR4
Velocidad del reloj de memoria : 2933 MHz
Componente para : PC / servidor
Factor de forma de memoria : DIMM de 288 pines
ECC : sí
Disposición de la memoria (módulos x tamaño) : 1 x 64 GB
Canales de memoria : Doble canal
Clasificación de memoria : 4
Voltaje de memoria : 1,2 V
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